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深圳市普连泰电子有限公司
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IPB027N10N3GATMA1 INFINEON TO-263
型号/规格:
IPB027N10N3GATMA1
品牌/商标:
IR/INFINEON/英飞凌
封装:
TO-263
类别:
分立半导体产品
产品族:
\t晶体管 - FET,MOSFET - 单个
技术:
MOSFET(金属氧化物)
产品信息
IPB027N10N3GATMA1 品牌:INFINEON 封装: TO-263 年份:2020+ 包装:1000pcs/盘装 全新进口原装 长期稳定供应
深圳市普连泰电子有限公司
一般信息
数据列表AMC1200(B) Datasheet;
Analog Signal Chain Guide;
Motor Drive and Control Solutions;
标准包装 1,000包装 标准卷带 零件状态有源类别集成电路(IC)产品族线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器系列-其它名称296-39898-2
AMC1200BDWVR-ND
IPB027N10N3GATMA1 品牌:INFINEON 封装: TO-263 年份:2020+ 包装:1000pcs/盘装 全新进口原装 长期稳定供应
规格
放大器类型隔离电路数1输出类型差分压摆率--3db 带宽100kHz电压 - 输入补偿200µV电流 - 供电5.4mA电压 - 供电,单/双 (±)2.7V ~ 5.5V工作温度-40°C ~ 105°C安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)供应商器件封装8-SOIC
一般信息
数据列表IPB027N10N3 G;
标准包装 1,000包装 标准卷带零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单个系列OptiMOS其它名称IPB027N10N3 G
IPB027N10N3 G-ND
IPB027N10N3 GTR-ND
IPB027N10N3G
IPB027N10N3GATMA1TR
SP000506508
规格
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Tc)驱动电压( Rds On, Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(值)2.7 毫欧 @ 100A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(值)3.5V @ 275µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)206nC @ 10VVgs(值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)14800pF @ 50VFET 功能-功率耗散(值)300W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装型供应商器件封装D²PAK(TO-263AB)封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数据列表AMC1200(B) Datasheet;
Analog Signal Chain Guide;
Motor Drive and Control Solutions;
标准包装 1,000包装 标准卷带 零件状态有源类别集成电路(IC)产品族线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器系列-其它名称296-39898-2
AMC1200BDWVR-ND
IPB027N10N3GATMA1 品牌:INFINEON 封装: TO-263 年份:2020+ 包装:1000pcs/盘装 全新进口原装 长期稳定供应
规格
放大器类型隔离电路数1输出类型差分压摆率--3db 带宽100kHz电压 - 输入补偿200µV电流 - 供电5.4mA电压 - 供电,单/双 (±)2.7V ~ 5.5V工作温度-40°C ~ 105°C安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)供应商器件封装8-SOIC
一般信息
数据列表IPB027N10N3 G;
标准包装 1,000包装 标准卷带零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单个系列OptiMOS其它名称IPB027N10N3 G
IPB027N10N3 G-ND
IPB027N10N3 GTR-ND
IPB027N10N3G
IPB027N10N3GATMA1TR
SP000506508
规格
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Tc)驱动电压( Rds On, Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(值)2.7 毫欧 @ 100A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(值)3.5V @ 275µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)206nC @ 10VVgs(值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)14800pF @ 50VFET 功能-功率耗散(值)300W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装型供应商器件封装D²PAK(TO-263AB)封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB