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IR推出650V器件以扩充超高速沟道IGBT系列

发布时间: 2014/10/24 13:59:55 | 442 次阅读

IR推出650V器件以扩充超高速沟道IGBT系列
适合工业用电机、焊接、太阳能、感应加热和不间断电源应用

功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。新产品旨在为多种快速开关应用作出优化,包括光伏逆变器、焊接设备、工业用电机、感应加热和不间断电源等应用。

 

全新的IRGP47xx系列IGBT提供从15A90A的电流范围,并采用沟道纤薄晶圆技术降低导通损耗和开关损耗,以提升系统效率。这些产品可作为分立式器件或与软恢复低Qrr二极管一起封装,能够为8KHz30KHz的超高速开关作出优化,从而提供高达6μs的短路额定值,以及有助于并联的VCE(ON)正温度系数。新器件具有较高的击穿电压,即便在极端天气和交流线路不稳定的情况下也能提高可靠性,无需电压抑制器件。

IR
亚太区销售副总裁潘大伟表示:全新650V IRGP47xx系列具有超高速开关频率,以及低导通损耗和开关损耗,能够为要求坚固可靠、高效且更小占位面积的应用提供具有成本效益的解决方案。

IRGP47xx
系列适用于广泛的开关频率范围,在100°C下提供仅1.7V 的低VCE(ON)和低总开关损耗,可有效减少功耗。新产品以封装器件供应,其它主要功能包括达175°C的工作结温和低电磁干扰,有助于提升可靠性。

规格
分立式 IGBT

器件编号

JEDEC标准封装

BVCES [V]

100°C 下的IC [A]

VCE(ON) [V]

速度

IRGP4760

TO-247

650

60

1.7

超高速

IRGP4790

TO-247

650

90

1.7

超高速


与软恢复低Qrr二极管一起封装的IGBT

器件编号

JEDEC标准封装

BVCES [V]

100°C 下的IC [A]

VCE(ON) [V]

速度

IRGS4715D

D2PAK

650

15

1.7

超高速

IRGB4715D

TO-220

650

15

1.7

超高速

IRGP4740D

TO-247

650

40

1.7

超高速

IRGP4750D

TO-247

650

50

1.7

超高速

IRGP4760D

TO-247

650

60

1.7

超高速

IRGP4790D

TO-247

650

90

1.7

超高速

 

 

产品现正接受批量订单。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS